Найвища точність

Як абсолютний еталон достовірності сигналу, оптоволоконний ізольований пробник SigOFIT забезпечує найвищу точність тестування.

• Відмінна амплітудно-частотна характеристика

• Точність посилення по постійному струму ≤ 1%

• Рівень шуму ≤ 0,45 мВ RMS

• Зміщення нуля < 0,1% (через 5 хвилин роботи)

• Зміна коефіцієнта підсилення також < 1%

Краще рішення для напівпровідників третього покоління

SiC та GaN компоненти здатні перемикати високу напругу за кілька наносекунд, генеруючи потужні ВЧ-гармоніки.
Навіть на найвищій смузі пропускання пробник SigOFIT зберігає майже 100 дБ CMRR, ефективно придушуючи осциляції, викликані синфазними перешкодами.
Без зайвих компонентів — найкращий вибір для тестування SiC/GaN.

Безпечне тестування GaN

Короткі вимірювальні дроти та коаксіальний кабель забезпечують наднизьку вхідну ємність — від 1 пФ, що робить пробник дуже безпечним для тестування GaN-компонентів.

Справжня оптична ізоляція

Передача сигналу та живлення здійснюється через оптоволокно за допомогою лазерів (без батарейок) — живлення максимально чисте, можливість безперервної роботи протягом 365 днів.

Широкий діапазон вимірювань

На відміну від традиційних диференціальних пробників, які здатні працювати лише з високовольтними сигналами, SigOFIT підтримує різні змінні наконечники, дозволяючи проводити вимірювання в діапазоні від ±0,01 В до ±6250 В, із відмінним співвідношенням сигнал/шум.

Ефективний і доступний

• Швидке включення — готовий до роботи відразу після подачі живлення

• Автообнулення менш ніж за 1 секунду, що гарантує точний сигнал у реальному часі

Сфери застосування

• Проєктування електроприводів, перетворювачів живлення, електронних баластів

• Тестування напівмостових і повномостових схем на GaN, SiC, IGBT

• Інвертори, джерела безперебійного живлення (UPS), імпульсні джерела живлення

• Випробування на безпеку у ВЧ/високовольтних застосуваннях

• Оцінка характеристик силових напівпровідників

• Вимірювання шунтових струмів

• Усунення ЕМІ/ESD проблем

• Диференційні вимірювання